【知財(特許権):取消決定取消請求事件(行政訴訟)/知財高 /平30・3・26/平29(行ケ)10062】原告:ローム(株)/被告:特許庁 官

理由の要旨(by Bot):

(1)本件決定の理由は,別紙異議の決定書(写し)記載のとおりである。要するに,本件発明は,下記引用例に記載された発明(以下「引用発明」という。)に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって,特許法29条2項の規定により特許を受けることができないものであるから,取り消すべきものである,というものである。 引用例:特開2010−27814号公報
(2)本件決定が認定した引用発明,本件発明と引用発明との一致点,本件発明1と引用発明との相違点,本件発明3と引用発明との相違点は,以下のとおりである。 ア 引用発明
SiCを半導体材料とするSiCMOSFETと,SiCMOSFETに並列に接続された2つの電極を有するSiCショットキーダイオードと,SiCMOSFETおよびSiCショットキーダイオードに接続された第2の配線パターンと,SiCMOSFETの一の電極とSiCショットキーダイオードの一方の電極と第2の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドと,SiCMOSFETの一の電極とSiCショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と,SiC ショットキーダイオードの一方の電極と第2の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である,電力用半導体装置。 イ 本件発明との一致点
SiCを主とする半導体材料で作成され,PN接合ダイオードを含むSiCMOSFETと,/前記SiCMOSFETに並列に接続され,前記PN接合ダイオードよりも動作電圧が低く,2つの端子を有するショットキーバリアダイオードと,/前記SiCMOSFETおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と,/前記PN接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第1のワイヤと,/前記ショットキーバリアダイオードの前記一方(以下略)

(PDF)
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/598/087598_hanrei.pdf (裁判所ウェブサイトの掲載ページ)
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=87598