事案の概要(by Bot)：
本件訴訟は，特許出願拒絶査定を不服とする審判請求を成り立たないとした審決の取消訴訟である。争点は，進歩性の有無である。
発明の要旨(By Bot)：
本願発明は，半導体基板に対してプラズマ処理を行う装置やその処理方法等に関する発明で，請求項の数は18であるが，本件補正後の請求項1の特許請求の範囲は以下のとおりである。
【請求項1（補正発明）】「プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と，プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と，プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え，前記高周波電力供給部は，最初に，壁面からのパーティクルの剥離を抑制し，かつプラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し，その後前記高周波電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成し，壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加するように，制御されるプラズマエッチング処理装置。」
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20120321084243.pdf
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