【特許権:審決取消請求事件(行政訴訟)/知財高裁/平23・9・29/平23(行ケ)10045】原告:三星電子(株)/被告:特許庁長官

事案の概要(by Bot):
本件は,原告が,下記1のとおりの手続において,特許請求の範囲請求項7の記載を下記2とする本件出願に対する拒絶査定不服審判の請求について,特許庁が同請求は成り立たないとした別紙審決書(写し)の本件審決(その理由の要旨は下記3のとおり)には,下記4の取消事由があると主張して,その取消しを求める事案である。
発明の要旨(By Bot):
複数のフラッシュメモリセルからなる複数のセクタを有するメモリブロックと,/上記メモリブロックに記録する情報を一時格納するバッファメモリと,/入出力端子と,/上記メモリブロックと上記バッファメモリとの間及び上記入出力端子と上記バッファメモリとの間における情報の転送の制御を行うリードライト回路を有し,/上記バッファメモリとして,第1のバッファメモリと第2のバッファメモリを有し,上記第1のバッファメモリと上記第2のバッファメモリは,上記入出力端子と上記メモリブロックの間に並列に接続され,/上記リードライト回路は,上記第1のバッファメモリと上記第2のバッファメモリと上記メモリブロックに指示することにより,上記メモリブロックと上記第1のバッファメモリ間のデータ転送,上記メモリブロックと上記2のバッファメモリ間のデータ転送,上記入出力端子と上記第1及び第2のバッファメモリ間のデータ転送を制御し,/上記第1のバッファメモリに格納された書込みデータを上記メモリブロックの所定のセクタへ転送している間に,他の書込みデータを上記入出力端子から上記第2のバッファメモリへ転送することが可能であることを特徴とするフラッシュメモリ装置
なお,「上記2のバッファメモリ」は「上記第2のバッファメモリ」の誤記であることが明らかであり,当事者間に争いがない。
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20111014164729.pdf



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