事案の概要(by Bot)：
本件は，特許出願に対する拒絶査定に係る不服の審判請求について，特許庁がした請求不成立の審決の取消訴訟である。争点は，手続違背の有無及び容易推考性の存否である。
発明の要旨(By Bot)：
平成18年12月12日付け補正による請求項の数は10であるが，そのうち【請求項1】は，次のとおりである（本願発明。下線部分は上記補正による補正箇所である。）。なお，原告は，本件訴訟において，本件不服審判請求とともにした補正の却下の適否については争っていない。
【請求項1】第1の端子，第2の端子および制御端子を有し，メモリセルアレイとは別に設けられた複数の不揮発性メモリセルと，該複数の不揮発性メモリセルの第1の端子に対して所定レベルの電圧を印加するレベルシフト回路と，前記複数の不揮発性メモリセルの第2の端子にそれぞれ設けられた複数のスイッチ用トランジスタとを備えることを特徴とする不揮発性メモリ回路。
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20110513104331.pdf
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