事案の概要(by Bot)：
本件は，特許出願拒絶査定に対する不服審判請求を不成立とする審決の取消訴訟である。争点は，実施可能要件（平成14年法律第24号による改正前の特許法36条4項1号）の充足の有無である。
1特許庁における手続の経緯
原告は，1998年（平成10年）2月19日の優先権（米国）を主張して，平成11年2月2日，名称を「LEDおよびLEDの組立方法」とする発明について特許出願し，平成18年9月14日付け及び平成22年2月10日付けで特許請求の範囲の変更を内容とする補正をしたが(甲7，8，請求項の数15），平成22年3月2日付けで拒絶査定を受けた。原告は，平成22年7月5日，上記拒絶査定に対する不服の審判請求をするとともに（不服2010−14873号事件），特許請求の範囲を変更する補正をしたが，平成23年8月26日付けの拒絶理由通知を受け，平成23年11月30日付けで特許請求の範囲を変更する補正をしたが，特許庁は，平成24年1月6日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし（出訴期間として90日附加），その謄本は平成24年1月19日原告に送達された。
発明の要旨(By Bot)：
本件出願に係る発明は，これを簡約にいえば，発光ダイオード（LED）のサファイア基板上に凹凸を形成して同ダイオードの発光層からの光を散乱させ，この散乱させた光も取り出すことで同ダイオードの発光の効率を改善するとの発明であり，
平成23年11月30日付け手続補正後の請求項1の発明（本願発明）に係る特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。「上部表面を備えたサファイア基板と，前記サファイア基板の前記上部表面上に堆積した半導体材料の第1の層と，第1の層と共にp−nダイオードを形成する前記半導体材料の第2の層と，前記第1と第2の層の間にあって，前記第1と第2の層の両端間に電位が印加されると，光を発生する発光領域と，前記第2の層に堆積した導電層からなる第1の接点と，前記第1の層に電気的に接続された第2の接点が含まれており，前記サファイア基板の前記上部表面に，光を散乱または回折するための突出部及び／または陥凹部が含まれるように前記サファイア基板の前記上部表面が粗面にされ，突出部及び／または陥凹部はLEDによって生じる光の前記第1の層における波長より大きいか，あるいは，その程度の大きさであることを特徴とする，LED。」
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20130805101644.pdf
（裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=83451&hanreiKbn=07