【知財(特許権):特許権侵害差止等請求事件/東京地裁/平25・8・29/平24(ワ)8135】原告:(株)シンクロン/被告:(株)オプトラン

事案の概要(by Bot):
 本件は,成膜方法及び成膜装置に関する特許権を有する原告が,被告の製造販売する装置及びその使用する方法について,上記特許権に係る特許発明の技術的範囲に属するとして,被告に対し,特許法100条に基づき,装置の製造,販売等及び使用する方法の差止め並びに装置等の廃棄,民法709条に基づき,7億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日から支払済みまで民法所定の年5分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
1 前提事実(当事者間に争いのない事実並びに後掲各証拠及び弁論の全趣旨により認められる事実)
(1)本件特許権
 原告は,発明の名称を「成膜方法及び成膜装置」とする特許に係る特許権(以下「本件特許権」という。)を有している。
(2)本件発明
 上記特許の願書に添付された特許請求の範囲の請求項1及び8の記載は,本判決添付の特許公報の該当項記載のとおりである(以下,この請求項1に係る発明を「本件発明1」といい,請求項8に係る発明を「本件発明2」という。)。
(3)本件発明の構成要件の分説
ア 本件発明1を構成要件に分説すると,次のとおりである(以下,分説した構成要件をそれぞれの符号に従い「構成要件1−A」のようにいう。)。1−A基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転している基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給するとともに,1−B前記基体保持面の一部の領域に向けイオンを照射することによって前記基体の一部に対して前記イオンを連続して照射することによるアシスト効果を与えながら,前記基体の表面に薄膜を堆積させる1−Cことを特徴とする成膜方法。イ本件発明2を構成要件に分説すると,次のとおりである(以下,分説した構成要件をそれぞれの符号に従い「構成要件2−A」のようにいう。)。2−A真空容器内に回転可能に配設され,基体を(以下略)

(PDF)
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20130830145128.pdf
(裁判所ウェブサイトの掲載ページ)
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=83512&hanreiKbn=07