事案の概要(by Bot)：
1特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成15年3月19日，発明の名称を「窒化物系半導体素子」とす
2る特許を出願し（特願2003−74966号，国内優先権主張日：平成14年3月26日），平成19年3月30日に設定登録されたを「本件明細書」という。）。
(2)原告は，平成23年10月7日，本件特許について特許無効審判を請求し，特許庁に無効2011−800202号事件として係属した。
(3)被告は，平成23年12月26日付けで請求項1及び5に係る訂正請求（以下「本件訂正」という。）をしたところ，特許庁は，平成24年7月20日，本件訂正を認めた上，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決（以下「本件審決」という。）をし，同月30日，その謄本が原告に送達された。
(4)原告は，平成24年8月22日，本件審決の取消しを求める訴えを提起した。
2特許請求の範囲
(1)本件訂正前の請求項1及び5に係る特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
【請求項1】ウルツ鉱構造を有するn型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第1半導体層と，前記第1半導体層の裏面上に形成されたn側電極とを備え，前記第1半導体層の前記n側電極との界面近傍における転位密度は，1×109cm−2以下であり，前記n側電極と前記第1半導体層との界面において，0.05Ωcm2以下のコンタクト抵抗を有する，窒化物系半導体素子。
【請求項5】前記第1半導体層は，所定の厚さになるまで裏面側が加工された層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
(2)本件訂正後の請求項1及び5並びに請求項2ないし4及び6ないし8に係る特許請求の範囲の記載は次のとおりである（以下，各請求項に記載された発明を順に「本件発明1」などといい，併せて「本件発明」という。）。なお，請（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20131118114257.pdf
（裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=83732&hanreiKbn=07