事案の概要(by Bot)：
1特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成20年3月24日，発明の名称を「窒化物系半導体素子の製造
2方法」とする特許を出願（特願2008−76844。出願日を平成15年3月19日とする特願2003−74966号（国内優先権主張日：平成14年3月26日，以下「原々出願」という。）の分割出願である，出願日を平成18年12月25日とする特願2006−348161号（以下「原出願」という。）の分割出願）し，平成20年9月5日に設定登録されたを「本件明細書」という。）。
(2)原告は，平成23年10月7日，本件特許について特許無効審判を請求し，特許庁に無効2011−800203号事件として係属した。
(3)特許庁は，平成24年7月20日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決（以下「本件審決」という。）をし，同月30日，その謄本が原告に送達された。
(4)原告は，平成24年8月22日，本件審決の取消しを求める訴えを提起した。
2特許請求の範囲特許請求の範囲の記載は次のとおりである。以下，順に「本件発明1」などといい，併せて「本件発明」という。
【請求項1】n型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第1半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する第1工程と，前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程と，前記第1工程及び前記第2工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×109cm−2以下とする第3工程と，その後，前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に，n側電極を形成する第4工程とを備え，前記第1半導体層と前記n側電極とのコンタクト抵抗を0.05Ωcm2以下とする，窒（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20131118115722.pdf
（裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=83733&hanreiKbn=07