事案の概要(by Bot)：
本件は，特許無効審判請求を不成立とする審決の取消訴訟である。争点は，容易想到性の有無である。
発明の要旨(By Bot)：
本件特許公報及び本件訂正明細書によれば，訂正後の本件特許の請求項1ないし3に係る発明は，以下のとおりである。
【請求項1】（本件発明1）厚みが50μm以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領
域では結晶欠陥の数が1×107個／cm2以下である，ハライド気相成長法（HVPE）を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板と，前記GaN基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層と，前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジストライプ上に形成されたp電極と，前記GaN基板の下面に形成されたn電極と，を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。【請求項2】（本件発明2）前記GaN基板は，結晶欠陥が1×106個／cm2以下の領域を有する請求項1に記載の窒化物半導体素子。【請求項3】（本件発明3）前記窒化物半導体層にはn側クラッド層，活性層，p側クラッド層が順に積層されており，該p側クラッド層には前記リッジストライプが形成されている請求項1に記載の窒化物半導体素子。
3原告が主張する無効理由
本件発明1ないし3は，刊行物1（国際公開第97／11518号，甲1）に記載された引用発明及び以下の文献に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。甲2：AkiraUsui他，”ThickGaNEpitaxialGrowthwithLowDislocationDensitybyHydrideVaporPhaseEpitaxy”，Jpn.J.Appl.Phys.，15July1997，Vol.36(1997)，part-2，No.7B，pp.L899-L902甲3：特開平9−115832号公報甲4：伊賀健一編著，「応用物理学シリーズ半導体レーザ」，平成6年10月25日，オーム社，199〜214頁甲5：小沼稔（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20131128100610.pdf
（裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=83763&hanreiKbn=07