裁判所の判断(by Bot)：
1認定事実
(1)本願明細書の記載
本願明細書には，以下の記載があり，図3及び図4は，別紙本願明細書図3及び同図4のとおりである。
「【0001】【発明の背景】本発明は，一般に基板の化学的機械研磨に関し，より詳細には，化学的機械研磨装置のためのみぞ付きパターンを有する研磨パッドに関する。【0002】集積回路は，通常導電性，半導性または絶縁性の層を順次堆積することによって，特にシリコンウェハである基板上に形成される。・・・従って，基板表面を周期的に平面化し，平坦な表面を提供する必要が存在する。【0003】化学的機械研磨（CMP）は平面化の一般に認められた方法の1つである。この方法では通常，基板をキャリヤまたは研磨ヘッドの上に設置する必要がある。その後基板の露出面が回転する研磨ヘッドに向かい合って配置される。キャリヤヘッドは制御可能な負荷すなわち圧力を基板に提供し，基板を研磨パッドに押しつける。さらに，キャリヤヘッドは回転し，基板と研磨表面との間に付加運動を提供する。」
「【0005】有効なCMPプロセスは，高い研磨率を提供するだけでなく，仕上げ加工され（小さな粗度がない）平坦な（大きな凹凸がない）基板表面を提供する。研磨率，仕上げと平坦さは，パッドとスラリの組み合わせ，基板とパッドとの間の相対速度及び，基板をパッドに押しつける力によって決定される。・・・【0006】CMPにおいて繰り返し発生する問題は，基板全体にわたる研磨率の不均一性である。この不均一性の原因の1つはいわゆる「エッジ効果」，すなわち基板の周縁部が基板の中心と異なった研磨率で研磨される傾向である。不均一性のもう1つの原因は，「中心緩速効果（centersloweffect）」と呼ばれる，基板の中心が研磨不足になる傾向である。こうした不均一な研磨効果は，基板全体の平坦さと集積回路製造に（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20140203094032.pdf
（裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=83912&hanreiKbn=07