事案の概要(by Bot)：
本件は，特許無効審判請求不成立審決の取消訴訟である。争点は，引用発明認定の誤りの有無，相違点認定の誤りの有無,及び相違点判断の誤りの有無である。
発明の要旨(By Bot)：
上記平成24年1月4日付け訂正請求書（同月11日付け手続補正書で補正）による訂正後（この訂正後の明細書及び図面を「本件明細書等」という。）の本件特許の請求項1〜4の発明に係る特許請求の範囲の記載（本件発明1については分説後のものであり，それぞれを「構成要件A−1」などのようにいう。）は，次のとおりである。
「【請求項1】【A−1】C面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成する工程と，【A−2】前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とからGaN系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程と，【A−3】前記GaN系半導体上にオーミック電極を形成する工程と，を有し，【A−4】上方の前記GaN系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を取り出す窒化物半導体ダイオードの製造方法であって，【B】前記凸部が，基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり，かつ，前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく，140°以下のテーパ角を持つ側面を有し，【C】前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり，【D−1】前記GaN系半導体層のA軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記A軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより，【D−2】前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長した
GaN系半導体が前記凸部側面付近で出会い，前記凸部を平坦に埋める【E】ことを特徴とする窒化物半導体ダイオードの製造方法。【請求項2】上記オーミック電極により，上記GaN系半導体層の最上層のほぼ全面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体ダイオードの製造方法。【請求項3】上記凸部の繰り返しパターンは，λ/4（λは上記半導体ダイオードの発光波長）以（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20140403141637.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=84103&hanreiKbn=07