事案の概要(by Bot)：
本件は，特許無効審判請求不成立審決の取消訴訟である。争点は，引用発明認定の誤りの有無，相違点認定の誤りの有無,及び相違点判断の誤りの有無である。
発明の要旨(By Bot)：
上記平成24年1月4日付け訂正請求書（同年5月11日付け手続補正書で補正）による訂正後（この訂正後の明細書及び図面を「本件訂正明細書等」という。）の本件特許の請求項1〜4の発明に係る特許請求の範囲の記載（本件発明1については分説後のものであり，それぞれ「構成要件A」などのようにいう。）は，次のとおりである。
「【請求項1】【A】基板上に，基板とは材質の異なる複数のGaN系半導体層と，前記GaN系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し，前記GaN系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて，【B】上記基板はC面（0001）サファイア基板であり，上記基板の表面部分には上記GaN系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が，λ／4（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔，10μm以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており，【C】その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり，上記GaN系半導体層のA軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記A軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され，【D】上記凸部の側面が傾斜しており，その側面のテーパ角が120°より大きく，140°以下であり，【E】前記基板表面の凸部は，凸部上面，凸部の形成されていない平坦面，及び凸部側面が連続したGaN系半導体層によって埋められた【F】ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項2】上記オーミック電極が，上記半導体層の最上層のほぼ全面を覆うことを特徴とする請求項1記載の半導体発光ダイオード。【請求項3】上記オーミック電極が，透光性であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光ダイオード。【請求項4】上記半導体中における発光（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20140415154530.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=84116&hanreiKbn=07