裁判所の判断(by Bot)：
当裁判所は，原告主張の取消事由に理由はないと判断する。その理由は，以下のとおりである。
1認定事実
(1)本件明細書の記載
本件明細書には，以下の記載がある。
「【0001】【産業上の利用分野】本発明は青色発光ダイオード，青色レーザーダイオード等に使用される窒化インジウムガリウム半導体の成長方法に関する。【0002】【従来の技術】青色ダイオード，青色レーザーダイオード等に使用される実用的な半導体材料として窒化ガリウム（GaN，以下GaNと記す。），窒化インジウムガリウム（InXGa1−XN，0＜X＜1，以下InGaNと記す。），窒化ガリウムアルミニウム（AlYGa1−YN，0＜Y＜1，以下AlGaNと記す。）等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されており，その中でもInGaNはバンドギャップが2eV〜3.4eVまであるため非常に有望視されている。【0003】従来，有機金属気相成長法（以下MOCVD法という。）によりInGaNを成長させる場合，成長温度500℃〜600℃の低温で，サファイア基板上に成長されていた。・・・【0004】【発明が解決しようとする課題】このような条件の下で成長されたInGaNの結晶性は非常に悪く，例えば室温でフォトルミネッセンス測定を行っても，バンド間発光はほとんど見られず，深い準位からの発光がわずかに観測されるのみであり，青色発光が観測されたことはなかった。しかも，X線回折でInGaNのピークを検出しようとしてもほとんどピークは検出されず，その結晶性は，単結晶というよりも，アモルファス状結晶に近いのが実状であった。【0005】青色発光ダイオード，青色レーザーダイオード等の青色発光デバイスを実現するためには，高品質で，かつ優れた結晶性を有するInGaNの実現が強く望まれている。よって，本発明はこの問題を解決するべくなされた（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20140428113053.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=84162&hanreiKbn=07