事案の概要(by Bot)：
本件は，p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関する特許権を有していた原告が，(1)被告は，窒化ガリウム系化合物半導体レーザー素子を組み込んだ半導体レーザー製品を製造，販売して原告の特許権を侵害し，これにより損害を受けた，(2)被告は原告に無断で原告の特許権に係る発明を実施して法律上の原因なく利得し，そのために原告に損失を及ぼしたとして，不法行為による損害賠償請求権又は不当利得返還請求権に基づき，平成14年3月から平成23年12月24日までの間に原告が受けた実施料相当額の損害又は被告が受けた実施料相当額の利益12億5000万円のうちの1億円及びこれに対する不法行為の後であり，訴状送達により支払を催告した日の翌日から支払済みまで民法所定の年5分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
（PDF）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20140527140828.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/search/jhsp0030?hanreiid=84218&hanreiKbn=07