事案の概要(by Bot)：
1特許庁における手続の経緯等（当事者間に争いがない。）
被告は，平成18年8月24日に出願され，平成24年7月27日に設定
2登録された，発明の名称を「炭化珪素半導体装置の製造方法」とする特許第5046083号（以下「本件特許」という。請求項の数は4である。）の特 許権者である。原告は，平成24年12月11日，特許庁に対し，本件特許を無効にすることを求めて審判の請求をした。特許庁は，上記請求を無効2012 −800203号事件として審理をした結果，平成25年9月30日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本を，同年10月10日，原 告に送達した。原告は，同年11月7日，上記審決の取消しを求めて本件訴えを提起した。
2特許請求の範囲の記載
本件特許の特許請求の範囲の請求項1ないし4の記載は，以下のとおりである（以下，同請求項1に記載された発明を「本件発明1」のようにいう。ま た，本件発明1ないし4を併せて「本件発明」といい，本件特許の明細書及び図面をまとめて「本件明細書」という。）。
「【請求項1】ショットキー電極の終端領域の下の第1導電型の低濃度の炭化珪素膜に，イオン注入により第2導電型の領域を形成し高温活性化処理 する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において，上記第1導電型の低濃度の炭化珪素膜は，結晶学的面指数が（0001）面又は（000−1）面 を有する第1導電型の炭化珪素基板上に堆積されており，上記第1導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って，上記高温活 性化処理する工程後に，上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された40nm以上（ただし，50nm未満を除く）の二酸化珪素 層を除去する工程を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体
3装置の製造方法。【請求項2】犠牲酸化によって形成された140nm未（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/609/084609_hanrei.pdf
（裁判所ウェブサイトの掲載ページ）