事案の概要(by Bot)：
本件は，拒絶審決の取消訴訟である。争点は，補正後の発明の進歩性の有無及び補正前の発明の新規性の有無等である。
発明の要旨(By Bot)：
本願発明は，発光ダイオード等の窒化ガリウムを含有する半導体装置に関する発明で，うち本件補正後の請求項1の特許請求の範囲は以下のとおりである（下線を付した部分が補正した部分である）。
【請求項1（補正発明）】「活性層と，p型のGaN系化合物半導体からなる第1半導体層と，前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されるInを含有するp型のIn1−x−y1GaxAly1N（0≦x＜1，0＜y1＜1）層と，前記活性層と前記In1−x−y1GaxAly1N（0≦x＜1，0＜y1＜1）層との間，および前記In1−x−y1GaxAly1N（0≦x＜1，0＜y1＜1）層と前記第1半導体層との間のいずれか一方に配置されるp型のGaN系化合物半導体からなる第2半導体層と，前記第1半導体層と前記活性層との間に配置され，前記In1−x−y1GaxAly1N（0≦x＜1，0＜y1＜1）層，前記第1半導体層，および第2半導体層よりも小さいバンドギャップを有し，かつ前記In1−x−y1GaxAly1N（0≦x＜1，0＜y1≦1）層，前記第1半導体層，および第2半導体層よりも格子定数が大きい，1〜15nmの膜厚で，かつ1×1017cm−3〜1×1019cm−3のMgを含有するIny2Ga1−y2N（0＜y2≦1）層と，を備え，前記Iny2Ga1−y2N（0＜y2≦1）層におけるInの組成比は，前記In1−x−y1GaxAly1N（0≦x＜1，0＜y1＜1）層，第1半導体層，および第2半導体層，におけるInの組成比よりも高いことを特徴とする半導体装置。」
また，本件補正前の請求項1の特許請求の範囲は以下のとおりである。
【請求項1（補正前発明）】「活性層と，p型のGaN系化合物半導体からなる第1半導体層と，前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されるp型のIn1−x−y1GaxAly（以下略）
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20130327094719.pdf
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