事案の概要(by Bot)：
1特許庁における手続の経緯等（認定の根拠を掲げない事実は当事者間に争いがない。）
被告は，平成20年3月24日に出願され（特願2008−76844号。特願2002−85085号（平成14年3月26日出願。以下，この出願日を「本件優先日」という。）に基づく優先権主張を伴う特願2003−74966号（平成15年3月19日出願）の一部を新たな特許出願とした特願2006−348161号（平成18年12月25日出願）の一部を新たな特許出願としたものである。），平成20年9月5日に設定登録された，発明の名称を「窒化物系半導体素子の製造方法」とする特許第4180107号（以下「本件特許」という。請求項の数は10である。）の特許権者である。原告は，平成23年10月7日，特許庁に対し，本件特許につき無効審判請求をしたが，平成24年7月20日に不成立審決がなされた。原告は，知的財産高等裁判所に対し審決取消訴訟を提起したが（平成24年（行ケ）10303号），平成25年11月14日，請求棄却判決がなされた。原告は，平成25年7月10日，特許庁に対し，本件特許の請求項全部を無効にすることを求めて審判の請求をした。特許庁は，上記請求を無効2013−800120号事件として審理をした結果，平成26年5月20日，「本件審判の請求は，成り立たない。審判費用は，請求人の負担とする。」との審決をし，その謄本を，同月29日，原告に送達した。原告は，同年6月13日，上記審決の取消しを求めて本件訴えを提起した。 2特許請求の範囲の記載
本件特許の特許請求の範囲の請求項1ないし10の記載は，以下のとおりである。
「【請求項1】n型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第1半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する第1工程と，前記第1半導体層（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/348/085348_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=85348