事案の概要(by Bot)：
本件は，特許無効審判請求を不成立とした審決に対する取消訴訟である。争点は，新規性判断の是非及び進歩性判断の是非である。
発明の要旨(By Bot)：
本件特許の請求項1〜10の発明に係る特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。
(1)本件発明1
「n型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第1半導体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する第1工程と，前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程と，前記第1工程及び前記第2工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×109cm2以下に低減される，請求項1又は2に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」 (4)本件発明4
「前記第3工程により，前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が0.5μ
-4-m以上除去される，請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」
(5)本件発明5
「前記基板は，成長用基板上に成長することを利用して形成されている，請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」 (6)本件発明6
「前記第1工程によって前記第1半導体層の上面上に前記第2半導体層を形成した後に，前記第2工程によって前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う，請求項1〜5のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」 (7)本件発明7
「前記第1半導体層及び前記第2半導体層を劈開することにより，共振器端面を形成する第5工程をさらに備える，請求項1〜6のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」 (8)本件発明8
「前記第1半導体層は，HVPE法により形成される，請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」
(9)本件発明9
「前記第2半導体層は，MOCVD法により形成される，請求項1〜8のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」
(10)本件発明10
「（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/593/085593_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=85593