事案の概要(by Bot)：
1特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成22年3月24日，発明の名称を「アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法」とする特許出願（特願2010−68707号。優先権主張：平成16年3月12日，同年11月10日。日本国。）をし，平成22年8月20日，設定の登録を受けた（請求項の数5。以下，この特許を「本件特許」という。）。本件出願は，平成17年2月28日に出願した特願2006−510907号の分割出願である。 (2)原告は，平成26年8月28日，本件特許の請求項1ないし5に係る発明について特許無効審判を請求し，無効2014−800138号事件として係属した。
(3)特許庁は，平成27年7月28日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同年8月6日，原告に送達された。 (4)原告は，平成27年9月7日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。
2特許請求の範囲の記載
特許請求の範囲の請求項1ないし5の記載は，次のとおりである。以下，本件特許に係る発明を，請求項の番号に従って「本件発明1」などといい，本件発明1ないし5を併せて，「本件各発明」という。また，その明細書を，図面を含めて「本件明細書」という。なお，「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。 【請求項1】結晶化したときの組成が，式InGaO3（ZnO）m（mは6未満の自然数）で示される酸化物薄膜のパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を
用いる気相成膜方法において，／該酸化物の多結晶をターゲットとして，基板の温度は意図的に加温しない状態で，電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに，酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に，／成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ濃度が1016／cm3以下とな（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/188/086188_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=86188