【特許権:審決取消請求事件(行政訴訟)/知財高裁/平28・10 12/平27(行ケ)10176】原告:(株)半導体エネルギー研究所/被告 国立研究開発法人科学技術振興機構

事案の概要(by Bot):
本件は,原告が請求した特許無効審判の不成立審決に対する取消訴訟である。争点は,サポート要件違反の有無,実施可能要件違反の有無及び進歩性の有無についての判断の当否である。

発明の要旨(By Bot):
本件特許に係る発明(本件発明)は,次のとおりである
【請求項1】ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In,Fe,Ga,又はAl,m
=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。(本件発明1)
【請求項2】表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を用いることを特徴とする請求項1記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。(本件発明2)
【請求項3】ホモロガス化合物が耐熱性,透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜であることを特徴とする請求項1記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。(本件発明3) 【請求項4】ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特徴とする請求項1記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。(本件発明4)

(PDF)
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/192/086192_hanrei.pdf (裁判所ウェブサイトの掲載ページ)
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=86192