事案の概要(by Bot)：
1特許庁における手続の経緯等
(1)原告は，平成16年9月9日，名称を「赤外線センサIC，赤外線センサ及びその製造方法」とする発明について特許出願をし（優先権主張：平成15年9月9日，日本国。ただし，審決は優先権主張の効果を認めず，原告はこれを争わなかった。），平成20年2月29日，設定の登録を受けた（請求項の数18。甲23。以下，この特許を「本件特許」という。）。 (2)被告は，平成25年10月30日，本件特許について特許無効審判請求をし，無効2013−800203号事件として係属した。 (3)原告は，平成27年6月8日，本件特許に係る特許請求の範囲を訂正する旨の訂正請求をした（以下「本件訂正」という。甲24）。
?特許庁は，平成28年1月4日，「訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。特許第4086875号の請求項1ないし18に係る発明についての特許を無効とする。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同月15日，原告に送達された。 ?原告は，平成28年2月12日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。
2特許請求の範囲の記載
本件訂正後の特許請求の範囲請求項1ないし18の記載は，次のとおりである。なお，「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。以下，請求項1ないし18に係る発明を「本件発明1」などといい，併せて「本件各発明」という。また，本件訂正後の明細書を，本件特許の図面を含めて，「本件明細書」という。
【請求項1】基板と，／該基板上に形成された，複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え，室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサであって，／前記化合物半導体の積層体は，／該基板上に形成された，インジウム及びアンチモンを含み，n型ド−ピングされた材料（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/847/086847_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=86847