理由の要旨(by Bot)：
(1)本件決定の理由は，別紙異議の決定書（写し）記載のとおりである。要するに，本件発明は，下記引用例に記載された発明（以下「引用発明」という。）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法29条2項の規定により特許を受けることができないものであるから，取り消すべきものである，というものである。 引用例：特開2010−27814号公報
(2)本件決定が認定した引用発明，本件発明と引用発明との一致点，本件発明1と引用発明との相違点，本件発明3と引用発明との相違点は，以下のとおりである。 ア 引用発明
SiCを半導体材料とするSiCMOSFETと，SiCMOSFETに並列に接続された2つの電極を有するSiCショットキーダイオードと，SiCMOSFETおよびSiCショットキーダイオードに接続された第2の配線パターンと，SiCMOSFETの一の電極とSiCショットキーダイオードの一方の電極と第2の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドと，SiCMOSFETの一の電極とSiCショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，SiC ショットキーダイオードの一方の電極と第2の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。 イ 本件発明との一致点
SiCを主とする半導体材料で作成され，PN接合ダイオードを含むSiCMOSFETと，／前記SiCMOSFETに並列に接続され，前記PN接合ダイオードよりも動作電圧が低く，2つの端子を有するショットキーバリアダイオードと，／前記SiCMOSFETおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と，／前記PN接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第1のワイヤと，／前記ショットキーバリアダイオードの前記一方（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/598/087598_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=87598