裁判所の判断(by Bot)：
当裁判所は，原告が主張する取消事由3の2は理由があるから，審決には取り消されるべき違法があると判断する。その理由は，以下のとおりである。 1本件訂正発明について
(1)本件訂正発明についての特許請求の範囲は，上記第2の2記載のとおりである。
(2)本件明細書には，概ね以下の記載がある。
ア技術分野及び背景技術
本発明は，非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットに関し，特にスパッタリングによって膜を形成する際に，安定した直流（DC）スパッタリングが可能で最適な成膜速度が得られ，スパッタ時のアーキングが少なく，これに起因して発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減でき，且つ高密度で品質のばらつきが少なく量産性を向上させることのできる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットに関する。（【0001】）磁気記録の分野では，磁性体薄膜中に非磁性材料を共存させることにより磁気特性を向上する技術が開発されている。その例として，磁性材薄膜中に非磁性材料の微粒子を存在させることにより，透磁率などの軟磁気特性を向上させるものや，磁性体薄膜材料中の金属微粒子間の磁気的相互作用を非磁性材料により遮断，または弱めることにより保磁力など磁気記録媒体としての各種特性を向上させるものなどがある。このような薄膜材料は通常スパッタリングにより作製されるが，絶縁性若しくは高抵抗である非磁性材料と低抵抗である金属からなる強磁性材料とを同時にスパッタリングする必要がある。（【0002】）スパッタリング法とは，正の電極となる基板と負の電極となるターゲットを対向させ，不活性ガス雰囲気下で，該基板とターゲット間に高電圧または高周波を印加して電場を発生させるものである。この時，不活性ガスが電離し，電子と陽イオンからなるプラズマが形成され，このプラズマ中の陽イオンがターゲッ（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/749/087749_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=87749