裁判所の判断(by Bot)：
1本件訂正発明について
(1)特許請求の範囲
本件訂正発明の特許請求の範囲は，上記第2の2に記載のとおりである。
(2)本件明細書の記載内容
本件明細書には，概ね以下の記載がある。
ア 技術分野
開示する実施態様は，一般的に集積回路，半導体パッケージ，及びプリント基板の製作に関する。さらに詳しくは，本実施態様は，下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄するための組成物と方法に関する。（【0001】） イ 背景
WLP（判決注：ウェーハレベルパッケージング）プロセスの際，ボンドパッド分布及びはんだバンプ構築のため等，ウェーハ上にパターンの輪郭を描くためにフォトリソグラフィー工程が必要である。このフォトリソグラフィープロセスは，フォトレジストのストリッピング工程とエッチング残渣の除去工程を含む。（【0005】）半導体ウェーハ及びプリント基板(printedcircuitboard(PCB))の製造では，基板をフォトレジストで被覆する。このフォトレジストを化学作用のある放射線にさらしてから露光又は非露光フォトレジストを適切な現像液で除去して残存フォトレジストにパターンを生成する。この残存フォトレジストは，下層にある基板の被覆領域を保護する。露光領域はエッチングされ…又はその上にさらに添加物質が沈着される…。エッチング又は沈着後，残存フォトレジストを除去しなければならない。基板上に残る材料の除去はさらに難しい。挑戦は，フォトレジストだけを除去し，他のいずれの材料もエッチング又は腐食せず，或いはストリッパー又はフォトレジストからのいずれの残渣も残しておくことである。…加工したウェーハ又はPCBの露出している他の材料を腐食せずにフォトレジストをストリッピング又は除去するのに選択しうるストリッパーを見つけることは難しい。望ま（以下略）
（PDF）
http://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/859/087859_hanrei.pdf （裁判所ウェブサイトの掲載ページ）
http://www.courts.go.jp/app/hanrei_jp/detail7?id=87859