事案の概要(by Bot):
1特許庁における手続の経緯
原告は,発明の名称を「半導体用電解銅メッキ浴及び電解銅メッキ方法」とする発明について,平成22年12月14日に特許出願(特願2010−277822,
パリ条約による優先権主張日2010年11月18日,(TW)台湾。以下「本願」という。甲1)をしたが,平成23年5月11日付けで拒絶理由通知を受け,同月31日に意見書及び手続補正書を提出したが,同年6月10日付けで再度拒絶理由通知を受け,同月28日に再度意見書及び手続補正書を提出したが,同年8月16日付けで拒絶査定を受けた。原告は,平成23年9月29日,不服審判(不服2011−21031号事件)の請求をするとともに,手続補正書を提出し,特許請求の範囲及び明細書について補正をした(以下「本件補正」という。)。特許庁は,平成24年1月25日,「本件審判の請求は,成り立たない。」との審決をし,その謄本は,同年2月6日に原告に送達された。
2本件補正後の特許請求の範囲の請求項1の記載
本件補正後の特許請求の範囲の請求項1の記載は,次のとおりである(下線部は,本件補正により付加された部分)。
「【請求項1】下記一般式(2)で表される化合物を含有してなることを特徴とする半導体のシリコン貫通電極用電解銅メッキ浴。【化1】(式(2)中,R1及びR2は,メチル基を示す。Mは,カリウムを示す。)」
3審決の理由
審決の理由は,別紙審決書写しのとおりであり,その要旨は,次のとおりである。
(1)本件補正の適否について
本件補正後の特許請求の範囲の請求項1に記載された発明(以下「本願補正発明」という。)は,特開2007−332447号公報(以下「引用例1」といい,引用例1に記載された発明を「引用発明1」という。),特開2007−16265号公報(以下「引用例2」といい,引用例2に記載された発明を「引用発明(以下略)
http://www.courts.go.jp/hanrei/pdf/20121130103229.pdf
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